高纯氧化镁的煅烧过程是一个复杂且精细的化学反应过程，涉及多个步骤和因素。在实际操作中，温度控制困难的原因主要有以下方面：

1. 原料性质差异：高纯氧化镁的生产通常使用菱镁矿作为原料，但菱镁矿的成分和性质可能因产地、开采方式等因素而有所不同。这种差异可能导致在煅烧过程中，不同批次的原料对温度的响应不同，从而增加了温度控制的难度。

2. 脱碳反应复杂性：在煅烧碳酸镁或碳酸氢镁的过程中，涉及碳酸镁的脱碳反应。这个反应是吸热反应，需要精确的温度控制以确保反应的顺利进行。然而，由于反应的复杂性和不可预测性，温度控制往往难以达到理想状态。

3. 晶体生长与烧结：煅烧温度和时间不仅影响材料的分解程度，还影响产物氧化镁的晶体结构和形貌。当温度过高时，可能导致晶体过度生长，形成大颗粒，从而降低比表面积和催化活性；而温度过低则可能导致反应不完全，残留未分解的原料。此外，高温还容易引起烧结现象，进一步增加温度控制的难度。

4. 设备限制：煅烧设备的性能和稳定性也会影响温度控制的效果。如果设备存在温度波动大、加热不均匀等问题，将直接影响到煅烧过程中的温度控制精度。

5. 操作人员技能水平：操作人员的技能水平和经验也是影响温度控制的重要因素。在实际操作中，需要操作人员根据原料性质、设备状况以及工艺要求等因素，灵活调整温度控制策略。然而，由于操作人员的技能水平和经验存在差异，导致温度控制效果也不尽相同。

综上所述，高纯氧化镁煅烧过程中温度控制困难的原因主要包括原料性质差异、脱碳反应复杂性、晶体生长与烧结、设备限制以及操作人员技能水平等多个方面。为了获得高质量的高纯氧化镁产品，需要严格控制煅烧过程中的温度、时间和均匀性等因素，并采取适当的措施来克服这些困难。